TY - JOUR T1 - Avalanche multiplication characteristics of Al0.8Ga0.2As diodes JO - IEEE T ELECTRON DEV UR - http://eprints.whiterose.ac.uk/905/ PY - 2001/10/01 AU - Ng BK AU - David JPR AU - Plimmer SA AU - Rees GJ AU - Tozer RC AU - Hopkinson M AU - Hill G ED - VL - 48 IS - 10 SP - 2198 EP - 2204 Y2 - 2025/05/28 ER -