TY - JOUR T1 - GaAs-Based Superluminescent Light-Emitting Diodes with 290-nm Emission Bandwidth by Using Hybrid Quantum Well/Quantum Dot Structures JO - Nanoscale Research Letters UR - http://eprints.whiterose.ac.uk/90489/ PY - 2015/12/01 AU - Chen S AU - Li W AU - Zhang Z AU - Childs D AU - Zhou K AU - Orchard J AU - Kennedy K AU - Hugues M AU - Clarke E AU - Ross I AU - Wada O et al ED - DO - DOI: 10.1186/s11671-015-1049-2 PB - Springer Science and Business Media LLC VL - 10 IS - 1 Y2 - 2025/05/18 ER -